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IKD03N60RF - IGBT-Transistor, 600 V, 3 A, 53,6 W, TO-252

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Der hart schaltende RC-Drives 600 V, 3 A IGBT3 mit monolithisch integrierter Sperrschichtdiode in einem TO252-Gehäuse wurde v... Mehr erfahren

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Produktdetails

Der hart schaltende RC-Drives 600 V, 3 A IGBT3 mit monolithisch integrierter Sperrschichtdiode in einem TO252-Gehäuse wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den Consumer-Antriebsmarkt entwickelt. Diese Basistechnologie bietet eine hervorragende Leistung für Permanentmagnet-Synchronmotoren und bürstenlose Gleichstromantriebe.Zusammenfassung der Merkmale Optimierte Parameter für bis zu 20% geringere Schaltverluste Betriebsbereich von DC bis 30 kHz Maximale Sperrschichttemperatur 175°C Kurzschlussfestigkeit von 5µs Sehr enge Parameterverteilung Klassenbeste Leistung bei Strom und Gehäusegröße Sanftes Schaltverhalten führt zu niedrigen EMI-WertenVorteile Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis für hart schaltende Anwendungen Hervorragende Temperaturstabilität Sehr gutes EMI-Verhalten Bis zu 60% Platzersparnis auf der Leiterplatte Höhere Zuverlässigkeit durch monolithisch integrierten IGBT & Diode aufgrund geringerer thermischer Zyklen beim SchaltenPotentielle Zielanwendungen Waschmaschinen Allzweck-Wechselrichter Kompressoren für Klimaanlagen Hart schaltende Topologien bis zu 1,0 kWAnwendungen DIN-Schienen-Stromversorgung Energiespeichersysteme

Informationen

Lieferzeit:1-3 Werktage
Marke:Infineon