IGD06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, TO-252

600 V, 6 A IGBT Diskret im TO252-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in einem TO252-Gehäuse führt zu einer deutlichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements durch die Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept. Die Kombination des IGBT mit einer emittergesteuerten Diode mit weicher Erholung minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.Zusammenfassung der Merkmale Geringster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste Geringe Schaltverluste Leichte Parallelschaltbarkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat Sehr weiche, schnell erholende antiparallele emittergesteuerte Diode Hohe Widerstandsfähigkeit, temperaturstabiles Verhalten Geringe EMI-Emissionen Niedrige Gate-Ladung Sehr enge ParameterverteilungVorteile Höchste Effizienz - geringe Leitungs- und Schaltverluste Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität im Design Hohe Zuverlässigkeit der GeräteAnwendungen Vernetzte und intelligente Beleuchtung