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STP110N10F7 - MOSFET N-Ch 100V 110A 150W, 0,007R, TO-220

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Produktdetails

STripFET™ VII DeepGATE™ Leistungs-MOSFETDiese Bauelemente nutzen die 7. Generation der Designregeln der STripFET™-Technologie mit einer neuen Gate-Struktur von ST. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist den niedrigsten RDS(on) in allen Gehäusen auf.MerkmaleExtrem niedriger Einschaltwiderstand100% Avalanche getestetAnwendungenSchaltanwendungen

Informationen

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Marke:STMICROELECTRONICS