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STGB10NC60KD - IGBT-Transistor, 360 V, 10 A, 65 W, D2Pak

STGB10NC60KD - IGBT-Transistor, 360 V, 10 A, 65 W, D2Pak

Wesentliche Merkmalegeringerer Spannungsabfall (VCE(sat))Geringeres CRES / CIES-Verhältnis (keine Querleitungs Suszeptibilitä... Mehr erfahren

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Produktdetails

Wesentliche Merkmalegeringerer Spannungsabfall (VCE(sat))Geringeres CRES / CIES-Verhältnis (keine Querleitungs Suszeptibilität)sehr weiche, ultraschnell erholende antiparallele DiodeKurzschlussfestigkeitszeit 10 µsDiese Geräte sind sehr schnelle IGBTs, die mit der fortschrittlichen PowerMESH™-Technologie. DiesesProzess garantiert einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem EinschaltverhaltenVerhalten. Diese Bauelemente sind gut geeignet für Resonanz- oder Soft-Switching-Anwendungen.

Informationen

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Marke:STMICROELECTRONICS