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STGB10NC60HD - IGBT-Transistor, 600 V, 10 A, 65 W, D2Pak

Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™ Prozess, was zu einem hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung un... Mehr erfahren

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Produktdetails

Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™ Prozess, was zu einem hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem On-State Verhalten führt.Wesentliche MerkmaleNiedriger Spannungsabfall VCEsatsehr weiche ultra fast recovery antiparallel Diode

Informationen

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Marke:STMICROELECTRONICS