

FDG8850NZ ONS - MOSFET, 2xN-LogL, 30V 0,75A 0,36W, 0,4R, SOT-363
Leistungs-MOSFETDual N-Kanal, Logic Level, PowerTrenchDiese Dual-N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus auf Log... Mehr erfahren
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reichelt elektronik
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Produktdetails
Leistungs-MOSFETDual N-Kanal, Logic Level, PowerTrenchDiese Dual-N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus auf Logikebene sind mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des Einschaltwiderstands zugeschnitten. Dieses Bauelement wurde speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für bipolare Digitaltransistoren und Kleinsignal-MOSFETs entwickelt. Da keine Vorspannungswiderstände erforderlich sind, kann dieser duale digitale FET mehrere verschiedene digitale Transistoren mit unterschiedlichen Vorspannungswiderstandswerten ersetzen.SehMerkmaleSehr niedrige Gate-Ansteuerungsanforderungen für den Betrieb in 3-V-Schaltungen (VGS(th)
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Marke:ONSEMI