

DG15X12T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 138 W, TO-247
DG15X12T21, 1200 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsver... Mehr erfahren
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DG15X12T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 138 W, TO-247
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reichelt elektronik
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Produktdetails
DG15X12T21, 1200 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Informationen
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Marke:STARPOWER