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BSN 20BK NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,265A 0,31W, SOT-23

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Produktdetails

Beschreibung• N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie.Eigenschaften und Vorteile• Logik-Pegel-kompatibel• sehr schnelles Schalten• Schutz vor elektrostatischen Entladungen (ESD): 2 kV HBM• Trench-MOSFET-TechnologieAnwendungen• Relais-Treiber• Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber• Low-Side-Lastschalter• Schaltkreise

Informationen

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Marke:NXP