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MOS 4012 - CMOS-Doppel-4 Eingangs-NAND-Gate, 3 ... 15 V, DIP-14

CMOS-Doppel-4 Eingangs-NAND-Gate BeschreibungDie NAND-Gatter CD4011B, CD4012B und CD4023B bieten dem Systementwickler eine di... Mehr erfahren

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Produktdetails

CMOS-Doppel-4 Eingangs-NAND-Gate BeschreibungDie NAND-Gatter CD4011B, CD4012B und CD4023B bieten dem Systementwickler eine direkte Implementierung der NAND-Funktion und ergänzen die bestehende Familie der CMOS-Gatter. Alle Ein- und Ausgänge sind gepuffert.Die Typen CD4011B, CD4012B und CD4023B werden in 14-poligen Dual-in-Line-Kunststoffgehäusen (Suffix E) und 14-poligen Small-Outline-Gehäusen (Suffixe M, MT, M96 und NSR) geliefert. Merkmale• Ausbreitungsverzögerungszeit = 60 ns (typ.) bei CL = 50 pF, VDD = 10 V• Gepufferte Ein- und Ausgänge• Standardisierte symmetrische Ausgangskennlinien• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den vollen Gehäusetemperaturbereich; 100 nA bei 18 V und 25°C• 100% geprüft auf Ruhestrom bei 20 V• Parametrische Nennwerte von 5 V, 10 V und 15 V• Rauschabstand (über den gesamten Pakettemperaturbereich: - 1 V bei VDD = 5 V - 2 V bei VDD = 10 V - 2,5 bei VDD = 15 V• Erfüllt alle Anforderungen des JEDEC-Tentativstandards Nr. 13B, ''Standardspezifikationen zur Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie ''B''''''. - Vierfach-2-Eingangs-CD4011B - Dual 4 Eingang-CD4012B - Dreifach-3-Eingangs-CD4023B

Informationen

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Marke:Texas Instruments