

IRLD 120 - MOSFET, N-Ch 100V 1,3A 0,27R, HVMDIP
Leistungs-MOSFET Beschreibung Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Designer die beste Kombination aus s... Mehr erfahren
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IRLD 120 - MOSFET, N-Ch 100V 1,3A 0,27R, HVMDIP
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reichelt elektronik
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Produktdetails
Leistungs-MOSFET Beschreibung Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Designer die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges, maschineneinsteckbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard-0,1-Zoll-Stiftmitten gestapelt werden kann. Der doppelte Abfluss dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis zu 1 W. Funktionen • Dynamische dV / dt-Bewertung• Wiederholte Lawinenbewertung• Zum automatischen Einsetzen• Ende stapelbar• Gate Drive auf Logikebene• RDS (ein) Spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V.• 175 ° C Betriebstemperatur• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95 / EG
Informationen
Lieferzeit:1-3 Werktage
Marke:Vishay


