IRL 530NS - MOSFET, N-Ch 100V 17A 79W, D2-PAK

HEXFET® der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in einem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Die Durchgangslochversion (IRL530NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• Oberflächenmontage (IRL530NS)• Durchgangsbohrung mit niedrigem Profil (IRL530NL)• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-geeignet• bleifrei