IRF 9540N - MOSFET, P-CH, 100V 23A 140W, TO-220AB

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET PowerMOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale• fortschrittliche Prozesstechnologie• dynamischer dv/dt-Wert• schnelles Schalten• 175°C Betriebstemperatur• voll Avalanche-geeignet• P-Kanal