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STP13NM60N N-Mosfet-Transistor 600V 11A 109W TO220-3

STP13NM60N N-Mosfet-Transistor 600V 11A 109W TO220-3

Allgemeine Beschreibung Der STP13NM60N ist ein leistungsstarker N-Mosfet-Transistor von STMicroelectronics, der für Anwendung... Mehr erfahren

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STP13NM60N N-Mosfet-Transistor 600V 11A 109W TO220-3

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Produktdetails

Allgemeine Beschreibung Der STP13NM60N ist ein leistungsstarker N-Mosfet-Transistor von STMicroelectronics, der für Anwendungen mit hohen Spannungen und Strömen konzipiert ist. Mit einer maximalen Source-Drain-Spannung von 600V und einem maximalen Ableitstrom von 11A eignet sich dieser Transistor ideal für verschiedene Schaltanwendungen in der Leistungselektronik. Technische daten Source-Drain-Spannung: 600V Ableitstrom: 11A Verlustleistung: 109W Gate-Source-Spannung: ±25V Übergangszustand Widerstand: 360mΩ Gehäuse: TO220-3

Informationen

Lieferzeit:1-3 Werktage
Marke:STMICROELECTRONICS