Study of electron transport in semiconductor nanodevices, Fachbücher von Peng Liu
68,00 €
Das Fachbuch "Study of Electron Transport in Semiconductor Nanodevices" bietet eine umfassende Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanogeräten durch den Einsatz der Scanning Gate Microscopy (SGM). Diese Technik, die in den späten 1990er Jahren entwickelt wurde, ermöglicht es, die lokalen elektronischen Eigenschaften mit hoher räumlicher Auflösung zu analysieren. Die Arbeit konzentriert sich auf die SGM-Messungen an verschiedenen Nanogeräten, die aus InGaAs/InAlAs-Heterostrukturen bestehen und eine hochmobiles 2DEG enthalten. Die Ergebnisse umfassen die Entdeckung des Braess-Paradoxons in mesoskopschen Geräten sowie die Identifizierung von Ladungsfallen durch detaillierte Leitfähigkeitsstudien. Das Buch bietet sowohl theoretische als auch experimentelle Einblicke in die Modulation der Elektronentransporteigenschaften und die direkte Abbildung von Ladungsfallen.
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