Ion implantation into GaN and AlInN, Fachbücher von Abdul Majid

Das Buch "Ion implantation into GaN and AlInN" bietet eine umfassende und systematische Untersuchung der Ionenimplantation in MOCVD-gewachsenem Wurtzit-Gallium-Nitrid (GaN) und Aluminium-Indium-Nitrid (AlInN). Es behandelt die Charakterisierung der als gewachsen betrachteten Proben durch Röntgenbeugung (XRD) und Hall-Messungen, um die strukturellen und elektrischen Eigenschaften zu überprüfen. Die Implantation von Neon, Mangan und Cer in unterschiedlichen Dosen wird detailliert beschrieben, ebenso wie die anschliessende Wärmebehandlung zur Gittererholung und Aktivierung der Dotierstoffe. Das Buch enthält auch umfassende Informationen zu den durchgeführten strukturellen und optischen Charakterisierungen, einschliesslich Rutherford-Backscattering-Spektroskopie (RBS), Photolumineszenz (PL) und Raman-Streuung. Darüber hinaus wird die magnetische Charakterisierung der Mangan- und Cer-implantierten Proben behandelt, was das Buch zu einer wertvollen Ressource für Fachleute und Studierende im Bereich der Materialwissenschaften macht.