Laser-Induced Etching, Fachbücher von Khalid Omar, Zahid H. Khan, R. K. Soni

Das Buch "Laser-Induced Etching" von LAP Lambert Academic Publishing bietet eine umfassende Analyse des laserinduzierten Ätzprozesses, insbesondere in Bezug auf die Herstellung von porösem Galliumphosphid (GaP). GaP ist ein Halbleiter mit einem indirekten Bandabstand von 2,26 eV, der als schwacher Lichtemitter gilt. Die Reduzierung der Kristallgrösse ist entscheidend für die Anwendung in optoelektronischen Geräten. Das Buch beleuchtet die Vorteile des laserinduzierten Ätzens, das eine präzise Kontrolle über die Grösse und optischen Eigenschaften ermöglicht, ohne dass Elektroden erforderlich sind. Diese Technik hat das Potenzial, eine Vielzahl von optoelektronischen Geräten zu fertigen, darunter Lichtemitter, Detektoren, Sensoren und integrierte Schaltungen. Zudem wird die Abhängigkeit der Oberflächenphonenfrequenz von der nanokristallinen Grösse und der Form sowie der dielektrischen Konstante des umgebenden Mediums behandelt. Die Autoren Khalid Omar, Zahid H. Khan und R. K. Soni präsentieren fundierte Forschungsergebnisse und Analysen, die für Fachleute und Studierende im Bereich der Materialwissenschaften und der optoelektronischen Technologien von Interesse sind.