Novel Schottky contacts to n-type gallium nitride, Fachbücher von Varra Rajagopal Reddy

Das Buch "Novel Schottky contacts to n-type gallium nitride" bietet eine umfassende Analyse der Eigenschaften und Herausforderungen von Schottky-Kontakten in n-dotiertem Gallium-Nitrid (GaN). In den letzten zehn Jahren hat GaN aufgrund seiner breiten Bandlücke und der Fähigkeit, in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen eingesetzt zu werden, an Bedeutung gewonnen. Diese Eigenschaften machen GaN zu einem vielversprechenden Material für elektronische und optoelektronische Geräte wie LEDs, Laser-Dioden und Hochgeschwindigkeits-Transistoren. Das Buch beleuchtet die Notwendigkeit, die Leckströme in Schottky-Rektifizierern zu minimieren, um die Effizienz und Zuverlässigkeit dieser Geräte zu verbessern. Es wird diskutiert, wie eine hohe Schottky-Barrierehöhe an der Metall-Halbleiter-Schnittstelle erreicht werden kann, um die Leistung der Schottky-Dioden zu optimieren und die Betriebseigenschaften zu verbessern.