Investigation on Schottky-Barrier MOSFETs for Memory Application, Fachbücher von Sung-Jin Choi, Yang-Kyu Choi

Das Buch "Investigation on Schottky-Barrier MOSFETs for Memory Application" bietet eine umfassende Analyse der Struktur von Schottky-Barriere-MOSFETs, insbesondere im Hinblick auf deren Anwendung in neuartigen Flash-Speichern. Die Autoren, Sung-Jin Choi und Yang-Kyu Choi, untersuchen die Effekte der Quellenseiteneinspritzung von heissen Elektronen in dopant-segregierten Schottky-Barriere-Flash-Speicherzellen. Diese Technik ermöglicht eine schnelle und effiziente Programmierung bei niedrigen Spannungen, ohne die Optimierung von Gate- und Drain-Spannungen einzuschränken. Das Buch beleuchtet auch das Phänomen der störungsfreien Entladung im NOR-Flash-Architektur und hebt die Vorteile der DSSB-Flash-Geräte hervor, insbesondere in Bezug auf die Programmiergeschwindigkeit und den Energieverbrauch. Die Ergebnisse dieser Untersuchung machen das DSSB-Gerät zu einem vielversprechenden Kandidaten für zukünftige NOR-Flash-Speicheranwendungen.