Rare Earth Point Defects in GaN, Fachbücher von Simone Sanna

Das Buch "Rare Earth Point Defects in GaN" von Simone Sanna bietet eine umfassende Analyse der Forschung zu seltenen Erden in breiten Bandlücken-Halbleitern, insbesondere Gallium-Nitrid (GaN). In den letzten zehn Jahren hat die Verwendung von seltenen Erden wie Europium (Eu), Erbium (Er) und Thulium (Tm) in der Halbleitertechnologie an Bedeutung gewonnen. Diese Elemente ermöglichen die Emission von sichtbarem Licht in spezifischen Wellenlängen, was die Entwicklung von hochhellen Lichtquellen mit bemerkenswerter Haltbarkeit und langer Lebensdauer fördert. Das Buch untersucht die Mechanismen, die der Lumineszenz dieser aktiven Ionen zugrunde liegen, und beleuchtet die Herausforderungen bei der Integration dieser Ionen in die Kristallstruktur von GaN. Durch die Kombination von theoretischen Simulationen und experimentellen Ergebnissen wird ein tiefes Verständnis der energetischen Beziehungen und der Defektsymmetrien in diesen Materialien vermittelt.