Ions Induced Nanostructures in Si and GaAs, Fachbücher von P. C. Srivastava, Om Pr. Sinha

Das Buch "Ions Induced Nanostructures in Si and GaAs" bietet eine umfassende Untersuchung der durch schnelle schwere Ionenstrahlung induzierten Oberflächen-Nanostrukturierung und Modifikationen von Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium (Si) und Galliumarsenid (GaAs). Es beleuchtet sowohl grundlegende als auch angewandte Aspekte dieser Thematik, die in der wissenschaftlichen Literatur bislang nicht ausreichend behandelt wurden. Die Relevanz dieser Forschung erstreckt sich auf die Simulation von Degradationsprozessen elektronischer Geräte in extremen Umgebungen, wie im Weltraum oder in hochstrahlenden Umgebungen. Durch den Einsatz fortschrittlicher Analysemethoden wie der Rasterkraftmikroskopie, der Strom-Spannungs- und Kapazitäts-Spannungs-Studien sowie der Röntgen-Photoelektronenspektroskopie wird ein tiefgehendes Verständnis der chemischen Veränderungen und der Defektzustände an den Oberflächen und Schnittstellen der Halbleitergeräte angestrebt. Diese detaillierte Analyse ermöglicht es, die Auswirkungen der Ionenstrahlung auf die Materialeigenschaften und die Leistung von Halbleiterbauelementen besser zu verstehen.