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BRAINZAP 4GB RAM PC3-10600U-09-11-B1 DIMM PC-Arbeitsspeicher (1333 MHz, CL9, 2Rx8, Non-ECC, Unbuffered, Desktop-PCs - In...

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-1333-2RN-09-11-B1 läuft mit 1.5V und wird... Mehr erfahren

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Produktdetails

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-1333-2RN-09-11-B1 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1333 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-10600U-09-11-B1 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL9. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Computern mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3-10600U-9-11-B1 wie z.B: Hynix HMT351U6CFR8C-H9 Samsung M378B5273DH0-CH9 Produktdetails EAN: 4262360570838 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-1333-2RN-09-11-B1 Kompatibel mit: Desktop-PCs - Intel und AMD - nicht für Notebooks Speicher-Frequenz: 1333 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 1 Gesamtkapazität: 4GB Speicher-Spezifikation: PC3-10600U-09-11-B1 JEDEC Norm: PC3-10600U Bauform: DIMM 240-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Ras Precharge Time (tRP): 9 Chip-Anordnung: 2Rx8

Informationen

Lieferzeit:2-3 Werktagen
Marke:BRAINZAP