BRAINZAP 4GB RAM PC3L-12800S-11-11-B2 SO-DIMM Laptop-Arbeitsspeicher (1600 MHz, CL11, 1Rx8, Non-ECC, Unbuffered, für Not...
Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2 läuft mit 1.35V sowi... Mehr erfahren
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BRAINZAP 4GB RAM PC3L-12800S-11-11-B2 SO-DIMM Laptop-Arbeitsspeicher (1600 MHz, CL11, 1Rx8, Non-ECC, Unbuffered, für Not...
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Produktdetails
Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-11-B2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-11-B2 wie z.B: Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 Micron MT8KTF51264HZ-1G6E2 Samsung M471B5173BH0-YK0 Samsung M471B5173CB0-YK0 Produktdetails EAN: 4262360570784 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 1 Gesamtkapazität: 4GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-11-B2 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8
Informationen
Lieferzeit:2-3 Werktagen
Marke:BRAINZAP
Farbe:Grün