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BRAINZAP 4GB RAM PC3-12800S-11-11-F3 SO-DIMM Laptop-Arbeitsspeicher (1600 MHz, CL11, 2Rx8, Non-ECC, Unbuffered, für Note...

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-2RN-11-11-F3 läuft mit 1.5V und w... Mehr erfahren

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Produktdetails

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-2RN-11-11-F3 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-12800S-11-11-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3-12800S-11-11-F3 wie z.B: Hynix HMT351S6CFR8C-PB Samsung M471B5273DH0-CK0 Samsung M471B5273EB0-CK0 Ramaxel RMT3160ED58E9W-1600 Kingston ACR512X64D3S16C11G Produktdetails EAN: 4262360570715 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RN-11-11-F3 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 1 Gesamtkapazität: 4GB Speicher-Spezifikation: PC3-12800S-11-11-F3 JEDEC Norm: PC3-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Informationen

Lieferzeit:2-3 Werktagen
Marke:BRAINZAP
Farbe:Grün