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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BP DFN1006-3 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BP DFN1006-3 NPN

Bipolarer Transistor, Typ=BC847BP, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Be... Mehr erfahren

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Produktdetails

Bipolarer Transistor, Typ=BC847BP, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=450, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=50 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=45 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=600 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=150 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-883, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle

Informationen

Lieferzeit:2-3 Werktage
Marke:DIOTEC